#1 |
数量:28 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:671 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:849 |
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最小起订量:1 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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连续漏极电流 | 60 A |
栅源电压(最大值) | �20 V |
功率耗散 | 431 W |
安装 | Through Hole |
漏源导通电阻 | 0.045 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-247 |
封装 | Tube |
引脚数 | 3 +Tab |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
通道模式 | Enhancement |
漏源导通电压 | 650 V |
弧度硬化 | No |
工厂包装数量 | 240 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
宽度 | 5.21 mm |
Qg - Gate Charge | 190 nC |
封装/外壳 | TO-247-3 |
下降时间 | 10 ns |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
商品名 | CoolMOS |
配置 | 1 N-Channel |
最高工作温度 | + 150 C |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 60 A |
长度 | 16.13 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 40 mOhms |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 100 ns |
系列 | CoolMOS CE |
身高 | 21.1 mm |
安装风格 | Through Hole |
典型导通延迟时间 | 30 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 431 W |
上升时间 | 20 ns |
技术 | Si |
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